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参数资料
| 型号： | IDT71V65803S100BGG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 84 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 100MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V65803S100BGG |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles (2)
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
n+8
n+9
n+10
n+11
n+12
n+13
n+14
n+15
n+16
n+17
n+18
n+19
Address
A 0
X
A 1
X
X
A 2
X
X
A 3
X
A 4
X
X
A 5
A 6
A 7
X
A 8
X
A 9
R/ W
H
X
H
X
X
H
X
X
L
X
L
X
X
L
H
L
X
H
X
L
ADV/ LD
L
H
L
L
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
CE (1)
L
X
L
H
X
L
X
H
L
X
L
H
X
L
L
L
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
X
X
L
X
L
L
X
X
L
OE
X
X
L
L
L
X
X
L
L
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
L
I/O
X
X
Q 0
Q 0+1
Q 1
Z
Z
Q 2
Q 2+1
Z
D 3
D 3+1
D 4
Z
Z
D 5
Q 6
D 7
D 7+1
Q 8
Comments
Load read
Burst read
Load read
Deselect or STOP
NOOP
Load read
Burst read
Deselect or STOP
Load write
Burst write
Load write
Deselect or STOP
NOOP
Load write
Load read
Load write
Burst write
Load read
Burst read
Load write
NOTES:
1. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
2. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
Read Operation (1)
5304tbl 12
Cycle
n
n+1
n+2
Address
A 0
X
X
R/ W
H
X
X
ADV/ LD
L
X
X
CE (2)
L
X
X
CEN
L
L
X
BW x
X
X
X
OE
X
X
L
I/O
X
X
Q 0
Comments
Address and Control meet setup
Clock Setup Valid
Contents of Address A 0 Read Out
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE = L is defined as CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H. CE = H is defined as CE 1 = H, CE 2 = H or CE 2 = L.
11
6.42
5304 tbl 13
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