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参数资料
| 型号： | IDT71V65803S133BGG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65803S133BGG8 |
IDT71V65603, IDT71V65803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT ? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Grade
Ambient
V SS
V DD
V DDQ
Temperature (1)
Commercial
Industrial
0° C to +70° C
-40°C to +85°C
0V
0V
3.3V±5%
3.3V±5%
3.3V±5%
3.3V±5%
NOTES:
5304 tbl 05
1. During production testing, the case temperature equals the ambient temperature .
Pin Configuration - 256K x 36
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
I/O P3
I/O 16
I/O 17
V DDQ
V SS
I/O 18
I/O 19
I/O 20
I/O 21
V SS
V DDQ
I/O 22
I/O 23
V DD (1)
V DD
V DD (1)
V SS
I/O 24
I/O 25
V DDQ
V SS
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 29
V SS
V DDQ
I/O 30
I/O 31
I/O P4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
I/O P2
I/O 15
I/O 14
V DDQ
V SS
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 10
V SS
V DDQ
I/O 9
I/O 8
V SS
V DD (1)
V DD
ZZ
I/O 7
I/O 6
V DDQ
V SS
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
V SS
V DDQ
I/O 1
I/O 0
I/O P1
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
5304 drw 02
,
Top View
100 TQFP
NOTES:
1. Pins 14, 16 and 66 do not have to be connected directly to VDD as long as the input voltage is ≥ VIH.
2. Pin 84 is reserved for a future 16M.
3. DNU=Do not use. Pins 38, 39, 42 and 43 are reserved for respective JTAG pins: TMS, TDI, TDO and TCK. The
current die revision allows these pins to be left unconnected, tied LOW (V SS ), or tied HIGH (V DD ).
5
6.42
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