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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S80BGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 25/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65903S80BGI8 |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of OE Operation (1)
OE
t OE
t OHZ
t OLZ
DATA OUT
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
Q
Q
5298 drw 11
,
XXXX
Device
Type
S
Power
XX
Speed
XX
Package
X
Process/
Temperature Range
Blank
I
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
PF
BG
BQ
75
80
85
100-pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Access time (t CD ) in tenths of nanoseconds
,
IDT71V65703
IDT71V65903
256Kx36 Flow-Through ZBT SRAM
512Kx18 Flow-Through ZBT SRAM
5298 drw 12
25
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEC65DTEN | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
| EEC65DTEH | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
| IDT71V65703S85BGG8 | IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA |
| AMM40DTKS | CONN EDGECARD 80POS DIP .156 SLD |
| AMM36DRAS | CONN EDGECARD 72POS .156 R/A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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