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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S85PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V65903S85PFG8 |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V±5%)
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
LBO Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V CC
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
5298 tbl 21
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if not actively driven.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V±5%)
7.5ns
8ns
8.5ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Unit
Com'l
Ind
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I DD
Operating Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
ADV/ LD = X, V DD = Max.,
V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
275
295
250
60
225
60
mA
I SB1
CMOS Standby Power
Device Deselected, Outputs Open,
Supply Current
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
40
60
40
60
40
60
mA
f = 0 (2,3)
I SB2
Clock Running Power
Device Deselected, Outputs Open,
Supply Current
V DD = Max., V IN > V HD or < V LD ,
105
125
100
120
95
115
mA
f = f MAX (2,3)
I SB3
I ZZ
Idle Power
Supply Current
Full Sleep Mode
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
CEN > V IH , V DD = Max.,
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
Device Selected, Outputs Open,
CEN < V IL , V DD = Max., ZZ > V HD
V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
40
40
60
60
40
40
60
60
40
40
60
60
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC ; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ – 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD – 0.2V, V LD = 0.2V.
5298 tbl 22
AC Test Load
V DDQ /2
AC Test Conditions
50 ?
Input Pulse Levels
0 to 3V
6
I/O
Z 0 = 50 ?
Figure 1. AC Test Load
5298 drw 04
,
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
2ns
1.5V
1.5V
5
? t CD
4
3
(Typical, ns)
2
1
? ?
?
?
?
Output Load
Figure 1
5298 tbl 23
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5298 drw 05
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
15
6.42
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PDF描述 |
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