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参数资料
| 型号： | IDT71V65903S85PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 26/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V65903S85PFG |
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
12/31/99
Created new part number and datasheet from 71V657/59 to 71v65703/5903
04/20/00
Pg.5,6
Add JTAG reset pins to TQFP pin configuration; removed footnote
Add clarification note to Recommended Operating Temperature and Absolute Max Ratings tables
05/23/00
Pg. 7
Pg. 21
Pg. 23
Add note to BGA pin configuration; corrected typo within pinout
InsertTQFP Package Diagram Outline
Add new package offering: 13mm x 15mm, 165 fine pitch ball grid array
Correction on 119 Ball Grid Array Package diagram Outline
07/28/00
11/04/00
12/04/02
12/18/02
03/02/09
Pg. 5-8
Pg. 7,8
Pg. 23
Pg. 8
Pg. 15
Pg. 1-25
Pg. 5,6,15,16,25
Pg. 1,2,5,6,7,8
Pg. 7
Pg. 25
Remove JTAG pins from TQFP, BG119 and BQ165 pinouts, refer to IDT71V656xx and
IDT71V658xx device errata sheet
Correct error in pinout, B2 on BG119 and B1 on BQ165 pinout
Update BG119 package diagram dimensions
Add reference note to pin N5 on the BQ165 pinout, reserved for JTAG TRST
Add Izz to DC Electrical Characteristics
Changed datasheet fromPreliminary to final release.
Added I temp to datasheet
Removed JTAG functionality for current die revision.
Corrected pin configuration on the x36, 119 BGA. Switched pins I/O0and I/OP1.
Removed "IDT" from orderable part number.
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sramhelp@idt.com
800-345-7015 or
408/284-4555
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V65903S85PFG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V65903S85PFGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S85PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V65903S85PFI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V65903S85PFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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