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参数资料
| 型号： | IDT71V67602S133PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67602S133PFG |
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Functional Block Diagram
LBO
ADV
Commercial and Industrial Temperature Ranges
CLK
ADSC
AD SP
CEN
Binary
Counter
C LR
2
Burst
Sequence
Burst
Logic
Q0
Q1
A0*
A1*
INTERNAL
ADDRESS
18/19
256K x 36/
512K x 18-
BIT
MEMORY
ARRAY
A 0– A 17/18
GW
CLK EN
ADDRESS
REGISTER
18/19
2
A 0 ,A 1
A 2 –A 18
36/18
36/18
BW E
Byte 1
Write Register
Byte 1
BW 1
BW 2
Byte 2
Write Register
Byte 3
Write Register
9
9
Write Driver
Byte 2
Write Driver
Byte 3
Write Driver
BW 3
BW 4
Byte 4
Write Register
9
9
Byte 4
Write Driver
OUTPUT
REGISTER
CE
CS 0
CS 1
D
Q
Enable
Register
DATA INPUT
REGISTER
CLK EN
ZZ
Powerdown
D
Q
Enable
Delay
Register
OE
OUTPUT
OE
I/O 0 –I/O 31
36/18
BUFFER
,
I/O P1 –I/O P4
5311 drw 01
3
6.42
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