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参数资料
| 型号： | IDT71V67602S133PFGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V67602S133PFGI8 |
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Pin Configuration ? 512K x 18, 100-Pin TQFP
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
NC
NC
NC
V DDQ
V SS
NC
NC
I/O 8
I/O 9
V SS
V DDQ
I/O 10
I/O 11
V DD / NC (1)
V DD
NC
V SS
I/O 12
I/O 13
V DDQ
V SS
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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15
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19
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25
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
A 10
NC
NC
V DDQ
V SS
NC
I/O P1
I/O 7
I/O 6
V SS
V DDQ
I/O 5
I/O 4
V SS
NC
V DD
ZZ (2)
I/O 3
I/O 2
V DDQ
V SS
I/O 1
I/O 0
NC
NC
V SS
V DDQ
NC
NC
NC
26
27
28
29
30
55
54
53
52
51
V SS
V DDQ
NC
NC
NC
,
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
5311 drw 03
Top View
NOTES:
1. Pin 14 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
6.42
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT71V67602S150BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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