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参数资料
| 型号： | IDT71V67602S150BGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Nov/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 150MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V67602S150BGI8 |
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Pin Configuration ? 256K x 36, 165 fBGA
Commercial and Industrial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC (3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD (1)
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
NC
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
(3)
(3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
A 11
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
A 12
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
A 15
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
ZZ (2)
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
A 17
A 16
5311 tbl 17a
Pin Configuration ? 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
(3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
H
V DD
(1)
NC
NC
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
NC
NC
ZZ (2)
NC
J
K
L
M
N
P
R
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
LBO
NC
NC
NC
NC
NC
NC (3)
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 11
A 12
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 14
A 13
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
NC
A 15
A 16
NC
NC
NC
NC
NC
A 18
A 17
5311 tbl 17b
NOTES:
1. H1 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.
8
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67602S150BGI | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
| 1N456A_T50R | DIODE HI CONDUCTANCE 30V DO-35 |
| VE-2TX-EV-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 150W |
| VE-2TW-EV-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 150W |
| HR-3U-2500L2X5 | BATT PACK 12.0V AA BUTTON NIMH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V67602S150BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67602S150BQ8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67602S150BQI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67602S150BQI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67602S150PF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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