参数资料
型号: IDT71V67602S166PFG8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 23/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 166MHz
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71V67602S166PFG8
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
12/31/99
Created datasheet from 71V676 and 71V678 datasheets.
I/O voltage and speed grade offerings have been split into separate part numbers.
See the following datasheets for:
3.3V I/O, 133–166MHz
2.5V I/O, 133–166MHz
3.3V I/O, 183–200MHz
2.5V I/O, 183–200MHz
71V67603
71V67602
71V67613
71V67612
04/26/00
05/24/00
07/12/00
08/27/02
10/28/02
11/19/02
04/15/03
12/20/03
Pg. 4 Add capacitance for BGA package; Insert clarification note to Absolute Max Ratings and Recommended
Operating Temperature tables.
Pg. 7 Replace Pin U6 with TRST pin in BGA pin configuration; Add pin description note in pinout
Pg. 18 Inserted 100 pin TQFP Package Diagram Outline
Pg. 1,4,8,21 Add new package offering, 13 x 15 fBGA
22
Pg. 5,6,7,8 Correct note 2 on BGA and TQFP pin configuration
Pg. 20 Correction in the 119 BGA Package Diagram Outline
Pg. 5,6,8 Remove note from TQFP and BQ165 pinouts
Pg. 7 Remove/Add reference note from BG119 pinout
Pg. 20 Update BG119 Package Diagram Outline
Pg. 4,9,12 Added Industrial information to the datasheet.
22
Pg. 1-23 Changed datasheet from Advanced Information to Final Release.
Pg. 1,9,12,22Added 166MHz to datasheet.
Pg .4 Updated 165fBGA table from TBD to 7.
Pg. 7 Updated 119BGA pin configurations- reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36) and P7, N6, L6, K7,
H6, G7, F6,E7, D6 (256K x 18).
02/27/09
Pg. 22
Removed "IDT" from the orderable part number.
CORPORATE HEADQUARTERS
2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
fax: 408-492-8674
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-544-7726
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
23
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT71V65903S85BGG8 IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IDT71V65903S85BG8 IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
MPC860PVR80D4 IC MPU POWERQUICC 80MHZ 357PBGA
MC68302AG25C IC MPU MULTI-PROTOCOL 144-LQFP
2-84953-5 CONN FPC 25POS 1MM RT ANG SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71V67603S133BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67603S133BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67603S133BGG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67603S133BGG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67603S133BGGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF