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参数资料
| 型号： | IDT71V67602S166PFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67602S166PFG |
IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Pin Configuration ? 256K x 36, 165 fBGA
Commercial and Industrial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC (3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD (1)
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
NC
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
(3)
(3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
A 11
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
A 12
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
A 15
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
ZZ (2)
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
A 17
A 16
5311 tbl 17a
Pin Configuration ? 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
(3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
H
V DD
(1)
NC
NC
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
NC
NC
ZZ (2)
NC
J
K
L
M
N
P
R
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
LBO
NC
NC
NC
NC
NC
NC (3)
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 11
A 12
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 14
A 13
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
NC
A 15
A 16
NC
NC
NC
NC
NC
A 18
A 17
5311 tbl 17b
NOTES:
1. H1 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.
8
6.42
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参数描述 |
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| IDT71V67603S133BG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S133BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S133BGG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S133BGG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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