- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4089 > IDT71V67603S133BQG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V67603S133BQG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67603S133BQG |
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 5%)
Symbol
|I LI |
|I LZZ |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
ZZ and LBO Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
5310 tbl 08
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if not actively driven.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1)
Symbol
Parameter
Test Conditions
166MHz
150MHz
133MHz
Unit
Com'l only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I DD
I SB1
I SB2
I ZZ
Operating Power Supply
Current
CMOS Standby Power
Supply Current
Clock Running Power
Supply Current
Full Sleep Mode Supply
Current
Device Selected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2,3)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
ZZ > V HD, V DD = Max.
340
50
160
50
305
50
155
50
325
70
175
70
260
50
150
50
280
70
170
70
mA
mA
mA
mA
5310 tbl 09
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ - 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD - 0.2V, V LD = 0.2V.
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
AC Test Load
V DDQ /2
50 ?
Input Pulse Levels
0 to 3V
I/O
Z 0 = 50 ?
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
2ns
1.5V
1.5V
See Figure 1
5310 tbl 10
6
5
4
5310 drw 06
Figure 1. AC Test Load
,
? t CD
3
(Typical, ns)
2
1
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5310 drw 07
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
9
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67603S133BQ | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| IDT71V65903S85BQG | IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA |
| IDT71V65903S85BQ | IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA |
| IDT71V65903S80BQG | IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA |
| IDT71V65903S80BQ | IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V67603S133BQG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S133BQGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S133BQGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S133BQI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S133BQI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。