- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4106 > IDT71V67603S150BGG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V67603S150BGG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 150MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V67603S150BGG8 |
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V DD = 3.3V ±5%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
166MHz
150MHz
133MHz
Symbol
t CYC
t CH (1)
t CL (1)
Parameter
Clock Cycle Time
Clock High Pulse Width
Clock Low Pulse Width
Min.
6
2.4
2.4
Max.
____
____
____
Min.
6.7
2.6
2.6
Max.
____
____
____
Min.
7.5
3
3
Max.
____
____
____
Unit
ns
ns
ns
Output Parameters
t OLZ
t CD
t CDC
t CLZ (2)
t CHZ (2)
t OE
(2)
t OHZ (2)
Clock High to Valid Data
Clock High to Data Change
Clock High to Output Active
Clock High to Data High-Z
Output Enable Access Time
Output Enable Low to Output Active
Output Enable High to Output High-Z
____
1.5
0
1.5
____
0
____
3.5
____
____
3.5
3.5
____
3.5
____
1.5
0
1.5
____
0
____
3.8
____
____
3.8
3.8
____
3.8
____
1.5
0
1.5
____
0
____
4.2
____
____
4.2
4.2
____
4.2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Set Up Times
t SA
t SS
t SD
t SW
t SAV
t SC
Address Setup Time
Address Status Setup Time
Data In Setup Time
Write Setup Time
Address Advance Setup Time
Chip Enable/Select Setup Time
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
____
____
____
____
____
____
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
____
____
____
____
____
____
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Hold Times
t HA
t HS
t HD
t HW
t HAV
t HC
Address Hold Time
Address Status Hold Time
Data In Hold Time
Write Hold Time
Address Advance Hold Time
Chip Enable/Select Hold Time
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Sleep Mode and Configuration Parameters
t ZZPW
t ZZR (3)
t CFG (4)
ZZ Pulse Width
ZZ Recovery Time
Configuration Set-up Time
100
100
24
____
____
____
100
100
27
____
____
____
100
100
30
____
____
____
ns
ns
ns
5310 tbl 16
NOTES:
1. Measured as HIGH above V IH and LOW below V IL .
2. Transition is measured ±200mV from steady-state.
3. Device must be deselected when powered-up from sleep mode.
4. t CFG is the minimum time required to configure the device based on the LBO input. LBO is a static input and must not change during normal operation.
12
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPC8250AZUPIBC | IC MPU POWERQUICC II 480-TBGA |
| IDT71V67603S150BG8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
| MPC8250AVVPIBC | IC MPU POWERQUICC II 480-TBGA |
| IDT71V67603S133BGG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA |
| MPC8270CZUUPEA | IC MPU POWERQUICC II 480-TBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V67603S150BGGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71V67603S150BGGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S150BGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71V67603S150BGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67603S150BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。