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参数资料
| 型号： | IDT71V67603S150BGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 150MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V67603S150BGI8 |
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration – 256K x 36, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
(3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
H
V DD
(1)
NC
NC
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
NC
NC
ZZ (2)
NC
NC
DNU
DNU
NC
DNU
DNU
J
K
L
M
N
P
R
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
LBO
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
(3)
(3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
(4)
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
A 11
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
A 12
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
A 15
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
A 17
A 16
5310 tbl 17a
Pin Configuration – 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
A
B
C
D
E
F
G
(3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
H
V DD
(1)
NC
NC
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
NC
NC
ZZ (2)
J
K
L
M
N
P
R
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
LBO
NC
NC
NC
NC
NC
NC (3)
NC (3)
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V SS
V SS
V SS
V SS
NC (3)
A 1
A 0
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
DNU (4)
DNU (4)
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 11
A 12
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 14
A 13
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
NC
A 15
A 16
NC
NC
NC
NC
NC
A 18
A 17
5310 tbl 17b
NOTES:
1. H1 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.
4. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.
8
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| IDT71V67603S150BQG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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