参数资料
型号: IDT71V67703S75BQ
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 23/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA
标准包装: 136
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 75ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 165-TBGA
供应商设备封装: 165-CABGA(13x15)
包装: 托盘
其它名称: 71V67703S75BQ
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
12/31/99
Created Datasheet from 71V677 and 71V679 Datasheets
For 2.5V I/O offering, see 71V67702 AND 71V67902 Datasheets.
04/26/00
05/24/00
07/12/00
12/18/00
10/29/01
10/22/02
04/15/03
12/20/03
02/20/09
Pg. 4
Pg. 7
Pg. 18
Pg. 1,4,8,21
22
Pg. 5,6,7,8
Pg. 20
Pg. 5,6,8
Pg. 7
Pg. 20
Pg. 9
Pg. 1,2
Pg. 7
Pg. 8
Pg. 9
Pg. 1-23
Pg. 4,9,12,
22
Pg. 4
Pg. 7
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Add capacitance for BGA package; Insert clarification note to Absolute Max Ratings and Recommended
Operating Temperature tables.
Replace Pin U6 with TRST pin in BGA pin configuration; Add pin description note in pinout
Inserted 100 pin TQFP Package Diagram Outline
Add new package offering, 13 x 15 fBGA
Correct note 2 on BGA and TQFP pin configuration
Correction in the 119 BGA Package Diagram Outline
Remove note from TQFP and BQ165 pinouts
Add/Remove note from BG119 pinout
Update BG 119 pinout
Updated ISB2 levels for 7.5-8.5ns.
Remove JTAG pins
Changed U2-U6 pins to DNU.
Changed P5,P7,R5 & R7 to DNU pins.
Raised specs by 10mA on 7.5ns, 8ns and 8.5ns.
Changed datasheet from Advanced to Final Release.
Added I temp to datasheet.
Updated 165 fBGA table from TBD to 7.
Updated 119BGS pin configurations- reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36) and P7, N6, L6, K7,
H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
Removed "IDT" from orderable part number.
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for Tech Support:
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800-544-7726
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
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