- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4106 > IDT71V67703S80BG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V67703S80BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V67703S80BG8 |
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table (1,3)
Operation
Address
CE
CS 0
CS 1
ADSP
ADSC
ADV
GW
BWE
BW x
OE (2)
CLK
I/O
Used
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Deselected Cycle, Power Down
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Begin Burst
Write Cycle, Begin Burst
Write Cycle, Begin Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Write Cycle, Continue Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Read Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
Write Cycle, Suspend Burst
None
None
None
None
None
External
External
External
External
External
External
External
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
Current
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
X
X
H
H
X
X
X
X
H
H
H
H
X
X
H
H
X
X
L
X
L
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
H
X
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
X
X
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
X
L
X
X
L
L
X
X
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
L
X
H
H
X
X
H
H
X
X
L
X
L
X
H
H
X
X
H
H
X
X
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
H
L
X
X
X
H
H
X
X
H
H
L
X
L
X
X
X
H
H
X
X
H
H
L
X
L
X
X
X
X
X
X
L
H
L
L
H
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
HI-Z
HI-Z
HI-Z
HI-Z
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D IN
D IN
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D OUT
HI-Z
D IN
D IN
D IN
D IN
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. OE is an asynchronous input.
3. ZZ - low for the table.
10
6.42
5309 tbl 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPC8250ACZUMHBC | IC MPU POWERQUICC II 480-TBGA |
| IDT71V67703S75BG8 | IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA |
| IDT71V67603S150BGG8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
| MPC8250AZUPIBC | IC MPU POWERQUICC II 480-TBGA |
| IDT71V67603S150BG8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V67703S80BGG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67703S80BGG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67703S80BGGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT71V67703S80BGGI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67703S80BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。