参数资料
型号: IDT71V67703S85PFG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP
标准包装: 72
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 85ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71V67703S85PFG
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 256K x 36, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
(3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V SS (1)
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
NC
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
(3)
NC (3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC (3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
A 11
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
A 12
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
A 15
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
ZZ (2)
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
A 17
A 16
5309tbl 17a
Pin Configuration ? 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC (3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V SS (1)
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
NC
NC
NC
NC
NC
NC
(3)
NC (3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 11
A 12
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 14
A 13
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
NC
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
NC
A 15
A 16
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
ZZ (2)
NC
NC
NC
NC
NC
A 18
A 17
5309 tbl 17b
NOTES:
1. H1 does not have to be directly connected to V SS , as long as the input voltage is < V IL.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.
4. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.
8
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IDT71V67703S85PFGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
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IDT71V67703S85PFI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040