参数资料
型号: IDT71V67903S75BQI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 15/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA
标准包装: 136
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步
存储容量: 9M(512K x 18)
速度: 75ns
接口: 并联
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 165-TBGA
供应商设备封装: 165-CABGA(13x15)
包装: 托盘
其它名称: 71V67903S75BQI
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 1 - GW Controlled
(1,2,3)
,
15
6.42
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PDF描述
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IDT71V67703S85BQI IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA
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参数描述
IDT71V67903S75BQI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V67903S75PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V67903S75PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI