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参数资料
| 型号： | IDT71V67903S80BQ |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 18/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA |
| 标准包装： | 136 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 80ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-TBGA |
| 供应商设备封装： | 165-CABGA（13x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67903S80BQ |
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform
CLK
AD SP
AD SC
ADDRESS
Av
Aw
Ax
Ay
Az
G W , BW E , BW x
CE , CS 1
CS 0
OE
NOTES:
DATA OUT
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
5309 drw 10
,
1. ZZ input is LOW, ADV is HIGH and LBO is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. For read cycles, ADSP and ADSC function identically and are therefore interchangable.
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
AD SP
ADSC
ADDRESS
Av
Aw
Ax
Ay
Az
GW
CE , CS 1
CS 0
DATA IN
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
(Az)
,
5309 drw 11
NOTES:
1. ZZ input is LOW, ADV and OE are HIGH, and LBO is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. Although only GW writes are shown, the functionality of BWE and BW x together is the same as GW .
4. For write cycles, ADSP and ADSC have different limitations.
18
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT71V67903S80BQI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S80PF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
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