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参数资料
| 型号： | IDT71V67903S85BG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 22/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA |
| 标准包装： | 84 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V67903S85BG |
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Ordering Information
XXX
Device
Type
S
Power
X
Speed
XX
Package
X
Process/
Temperature Rance
Blank
I
PF
BG
BQ
75
80
85
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
100-Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 fine pitch Ball Grid Array (fBGA)
Access Time in Tenths of Nanoseconds
71V67703
71V67903
256K x 36 Flow-Through Burst Synchronous SRAM
512K x 18 Flow-Through Burst Synchronous SRAM
,
5309 drw 12
6.42
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PDF描述 |
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