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参数资料
| 型号： | IDT71V67903S85PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V67903S85PFG8 |
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 256K x 36, 119 BGA
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
NC
NC
V DDQ
A 6
CS 0 (4)
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 5
NC
DNU (3)
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
NC
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
LBO
A 10
DNU (3)
ADSP
ADSC
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
V DD
A 11
DNU (3)
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS (1)
A 14
DNU (3)
A 16
A 17
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O P1
A 13
NC
DNU (3)
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O 0
NC
ZZ (2)
V DDQ
5309 drw 02c
Top View
Pin Configuration ? 512K x 18, 119 BGA
1
2
3
4
5
6
7
A
V DDQ
A 6
A 4
ADSP
A 8
A 16
V DDQ
B
NC
CS 0
(4)
A 3
ADSC
A 9
A 18
NC
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
NC
I/O 8
NC
V DDQ
NC
I/O 11
V DDQ
NC
I/O 13
V DDQ
I/O 15
NC
NC
NC
A 7
NC
I/O 9
NC
I/O 10
NC
V DD
I/O 12
NC
I/O 14
NC
I/O P2
A 5
A 10
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
NC
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
LBO
A 15
V DD
NC
CE
OE
ADV
GW
V DD
CLK
NC
BWE
A 1
A 0
V DD
NC
A 13
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS (1)
A 14
A 17
I/O P1
NC
I/O 6
NC
I/O 4
V DD
NC
I/O 2
NC
I/O 1
NC
A 12
A 11
NC
NC
I/O 7
V DDQ
I/O 5
NC
V DDQ
I/O 3
NC
V DDQ
NC
I/O 0
NC
ZZ (2)
U
V DDQ
DNU (3)
DNU (3)
DNU (3)
DNU (3)
DNU (3)
V DDQ
5309 drw 02d
,
Top View
NOTES:
1. R5 does not have to be directly connected to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.
4. On future 18M devices CS 0 will be removed, B2 will be used for address expansion.
7
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT71V67903S85PFI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V67903S85PFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT7200L12J | 功能描述:IC MEM FIFO 256X9 12NS 32-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - FIFO 系列:7200 标准包装:80 系列:7200 功能:同步 存储容量:18.4K（1K x 18） 数据速率:- 访问时间:10ns 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LQFP 供应商设备封装:64-TQFP（10x10） 包装:托盘 其它名称:72225LB10TF |
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