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参数资料
| 型号： | IDT71V67903S85PFGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V67903S85PFGI8 |
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 256K x 36, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
(3)
NC
I/O P3
I/O 17
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V SS (1)
I/O 25
I/O 27
I/O 29
I/O 31
I/O P4
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 16
I/O 18
I/O 20
I/O 22
NC
I/O 24
I/O 26
I/O 28
I/O 30
NC
(3)
NC (3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 3
BW 4
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
BW 2
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC (3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 10
A 11
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 13
A 12
A 8
A 9
NC
I/O 15
I/O 13
I/O 11
I/O 9
NC
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
NC
A 14
A 15
NC
NC (3)
I/O P2
I/O 14
I/O 12
I/O 10
I/O 8
ZZ (2)
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O P1
A 17
A 16
5309tbl 17a
Pin Configuration ? 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
NC
NC
DNU
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
NC (3)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V SS (1)
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
I/O P2
NC
LBO
A 7
A 6
NC
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
NC
NC
NC
NC
NC
NC
(3)
NC (3)
CE
CS 0
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 5
A 4
BW 2
NC
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 2
A 3
NC
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
CS 1
CLK
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
(3)
A 1
A 0
BWE
GW
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
NC
(4)
DNU (4)
ADSC
OE
V SS
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V DD
V SS
A 11
A 12
ADV
ADSP
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
NC
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
V DDQ
A 14
A 13
A 8
A 9
NC
NC
NC
NC
NC
NC
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
NC
A 15
A 16
A 10
NC (3)
I/O P1
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
ZZ (2)
NC
NC
NC
NC
NC
A 18
A 17
5309 tbl 17b
NOTES:
1. H1 does not have to be directly connected to V SS , as long as the input voltage is < V IL.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M, 36M, 72M, and 144M and 288M respectively.
4. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.
8
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT71V67903S85PFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT7200L12J | 功能描述:IC MEM FIFO 256X9 12NS 32-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - FIFO 系列:7200 标准包装:80 系列:7200 功能:同步 存储容量:18.4K（1K x 18） 数据速率:- 访问时间:10ns 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LQFP 供应商设备封装:64-TQFP（10x10） 包装:托盘 其它名称:72225LB10TF |
| IDT7200L12J8 | 功能描述:IC MEM FIFO 256X9 12NS 32-PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - FIFO 系列:7200 标准包装:80 系列:7200 功能:同步 存储容量:18.4K（1K x 18） 数据速率:- 访问时间:10ns 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LQFP 供应商设备封装:64-TQFP（10x10） 包装:托盘 其它名称:72225LB10TF |
| IDT7200L12JG | 功能描述:IC MEM FIFO 256X9 12NS 32-PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - FIFO 系列:7200 标准包装:80 系列:7200 功能:同步 存储容量:18.4K（1K x 18） 数据速率:- 访问时间:10ns 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LQFP 供应商设备封装:64-TQFP（10x10） 包装:托盘 其它名称:72225LB10TF |
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