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参数资料
| 型号： | IDT7202LA12SOG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO ASYNCH 1KX9 12NS 28SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | 7200 |
| 功能： | 异步 |
| 存储容量： | 9K（1K x 9） |
| 数据速率： | 50MHz |
| 访问时间： | 12ns |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.345"，8.77mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7202LA12SOG8 |
2
COMMERCIAL,INDUSTRIALANDMILITARY
TEMPERATURERANGES
IDT7201L/7201LA/7202LA CMOS ASYNCHRONOUS FIFO
256 x 9, 512 x 9 and 1,024 x 9
PIN CONFIGURATIONS
RECOMMENDED DC OPERATING
CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Unit
VCC
SupplyVoltage
4.5
5.0
5.5
V
Commercial/Industrial/Military
GND
SupplyVoltage
0
V
VIH(1)
Input High Voltage Com'l/Ind'l
2.0
—
V
VIH(1)
Input High Voltage Military
2.2
—
V
VIL(2)
InputLowVoltage
—
0.8
V
Commercial/Industrial/Military
TA
OperatingTemperatureCommercial
0
—
70
°C
TA
OperatingTemperatureIndustrial
–40
—
85
°C
TA
OperatingTemperatureMilitary
–55
—
125
°C
NOTES:
1. For RT/RS/XI input, VIH = 2.6V (commercial).
For RT/RS/XI input, VIH = 2.8V (military).
2. 1.5V undershoots are allowed for 10ns once per cycle.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Rating
Com’l & Ind'l
Mil.
Unit
VTERM
TerminalVoltage
–0.5 to +7.0
V
withRespect
to GND
TSTG
Storage
–55 to +125
–65 to +155
°C
Temperature
IOUT
DCOutput
–50to+50
mA
Current
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of
the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect reliability.
Reference
Order
PackageType
Identifier
Code
PLASTIC DIP(1)
P28-1
P
PLASTIC THIN DIP
P28-2
T P
CERDIP(1)
D28-1
D
THIN CERDIP
D28-3
TD
SOIC
SO28-3
SO
TOP VIEW
Reference
Order
Package Type
Identifier
Code
LCC(1)
L32- 1
L
PLCC
J32-1
J
TOP VIEW
NOTE:
1. The 600-mil-wide DIP (P28-1 and D28-1) and LCC are not available for the IDT7200.
W
D8
VCC
D4
1
2
28
27
D3
D5
326
D2
D6
425
D1
D7
524
D0
FL/RT
623
XI
RS
722
FF
EF
821
Q0
XO/HF
920
Q1
Q7
10
19
Q2
Q6
11
18
Q3
Q5
12
17
Q8
Q4
13
16
GND
R
14
15
2679 drw 02a
D2
5
D1
6
D0
7
XI
8
FF
9
Q0
10
Q1
11
NC
12
Q2
13
D6
D7
NC
FL/RT
RS
EF
XO/HF
Q7
Q6
29
28
27
26
25
24
23
22
21
4
3
2
1
32 31 30
14 15 16 17 18 19 20
Q
3
Q
8
GND
NC
R
Q
4
Q
5
D
3
D
8
W
NC
V
CC
D
4
D
5
INDEX
2679 drw 02b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS3100R10SL-3P | CONN RCPT 3POS WALL MNT W/PINS |
| IDT7202LA12SO8 | IC FIFO ASYNCH 1KX9 12NS 28SOIC |
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参数描述 |
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| IDT7202LA15J8 | 功能描述:IC FIFO ASYNCH 1KX9 15NS 32PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - FIFO 系列:7200 标准包装:80 系列:7200 功能:同步 存储容量:18.4K（1K x 18） 数据速率:- 访问时间:10ns 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LQFP 供应商设备封装:64-TQFP（10x10） 包装:托盘 其它名称:72225LB10TF |
| IDT7202LA15JGI | 功能描述:IC FIFO ASYNCH 1KX9 15NS 32PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - FIFO 系列:7200 标准包装:80 系列:7200 功能:同步 存储容量:18.4K（1K x 18） 数据速率:- 访问时间:10ns 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LQFP 供应商设备封装:64-TQFP（10x10） 包装:托盘 其它名称:72225LB10TF |
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