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参数资料
| 型号： | IDT72261LA20TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO 8192X18 LP 20NS 64QFP |
| 标准包装： | 80 |
| 系列： | 7200 |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 144K（8K x 18） |
| 数据速率： | 50MHz |
| 访问时间： | 20ns |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 72261LA20TF |
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19
COMMERCIALANDINDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
IDT72261LA/72271LA SuperSync FIFO
16,384 x 9 and 32,768 x 9
Figure
10.
Read
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
tSKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
IR
will
go
LOW
after
one
WCLK
cycle
plus
tWFF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
tSKEW1
,then
the
IR
assertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
PAF
will
go
HIGH
after
one
WCLK
cycle
plus
tPAF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
tSKEW2
,then
the
PAF
deassertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH
4.
n=
PAE
Offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5.
D
=
16,385
for
the
IDT72261LA
and
32,769
for
the
IDT72271LA.
WCLK
12
WEN
D
0
-
D
8
RCLK
tENS
REN
Q
0
-Q
8
PAF
HF
PAE
IR
OR
W
1
W
1
W
2
W
3
W
m+2
W
[m+3]
tOHZ
tSKEW1
tENH
tDS
tDH
tOE
tA
tPAF
tWFF
tENS
OE
tSKEW2
W
D
4671
drw
13
tPAE
W
[D-n]
W
[D-n-1]
tA
tHF
tREF
W
[D-1]
W
D
tA
W
[D-n+1]
W
[m+4]
W
[D-n+2]
(1)
(2)
tENS
D-1
+
1 ]
[
W
2
D-1
+
2 ]
[
W
2
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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| IDT72265LA10PF | 功能描述:IC FIFO 8KX18 LP 10NS 64QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - FIFO 系列:7200 标准包装:90 系列:7200 功能:同步 存储容量:288K（16K x 18） 数据速率:100MHz 访问时间:10ns 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:64-LQFP 供应商设备封装:64-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:72271LA10PF |
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