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参数资料
| 型号： | IDT72V265LA10TF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO SS 16384X18 10NS 64STQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 288K（16K x 18） |
| 数据速率： | 100MHz |
| 访问时间： | 10ns |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 72V265LA10TF8 |
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17
IDT72V255LA/72V265LA 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
OCTOBER 22, 2008
Figure 8. Read Cycle, Empty Flag and First Data Word Latency Timing (IDT Standard Mode)
NOTES:
1. tSKEW3 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that
EF will go HIGH (after one RCLK cycle plus tREF). If the time between the
rising edge of WCLK and the rising edge of RCLK is less than tSKEW3, then
EF deassertion may be delayed one extra RCLK cycle.
2.
LD = HIGH.
3. First word latency: 60ns + tREF + 1*TRCLK.
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising RCLK edge and a rising WCLK edge to guarantee that
FF will go high (after one WCLK cycle pus tWFF). If the time between the
rising edge of the RCLK and the rising edge of the WCLK is less than tSKEW1, then the FF deassertion may be delayed one extra WCLK cycle.
2.
LD = HIGH, OE = LOW, EF = HIGH
Figure 7. Write Cycle and Full Flag Timing (IDT Standard Mode)
D0 - Dn
WEN
RCLK
REN
tENH
Q0 - Qn
DATA READ
NEXT DATA READ
DATA IN OUTPUT REGISTER
tSKEW1
(1)
4672 drw 10
WCLK
NO WRITE
1
2
1
2
tDS
NO WRITE
tWFF
tA
tENS
tSKEW1
(1)
tDS
tA
D X
tDH
tCLKH
DX+1
tWFF
tDH
tCLK
tCLKL
NO OPERATION
RCLK
REN
4672 drw 11
EF
tCLKH
tCLKL
tENH
tREF
tA
tOLZ
tOE
Q0 - Qn
OE
WCLK
(1)
tSKEW3
WEN
D0 - Dn
tENS
tENH
tDS
tDHS
D0
1
2
tOLZ
NO OPERATION
LAST WORD
D0
D1
tENS
tENH
tDS
tDH
tOHZ
LAST WORD
tREF
tENH
tENS
tA
tENS
tENH
tCLK
tREF
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