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参数资料
| 型号： | IDT72V295L15PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO SUPERSYNCII 15NS 64-TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 2.3K（64 x 36） |
| 访问时间： | 15ns |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 72V295L15PF8 |
18
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL TEMPERATURE RANGES
IDT72V295/72V2105 3.3V HIGH DENSITY CMOS
SUPERSYNC FIFOTM 131,072 x 18, 262,144 x 18
Figure
9.
Write
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
tSKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
OR
will
go
LOW
after
two
RCLK
cycles
plus
t
REF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
t
SKEW1
,
then
OR
assertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
PAE
will
go
HIGH
after
one
RCLK
cycle
plus
t
PAE
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
t
SKEW2
,
then
the
PAE
deassertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH,
OE
=
LOW
4.
n=
PAE
offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5.
D
=
131,073
for
IDT72V295
and
262,145
for
IDT72V2105.
6.
First
word
latency:
t
SKEW1
+
2*T
RCLK
+
t
REF
.
W
1
W
2
W
4
W
[n
+2]
W
[D-m-1]
W
[D-m-2]
W
[D
-1]
W
D
W
[n+3]
W
[n+4]
W
[D-m]
W
[D-m+1]
WCLK
WEN
D
0
-
D
17
RCLK
tDH
tDS
tSKEW1
(1)
REN
Q
0
-Q
17
PAF
HF
PAE
IR
tDS
tSKEW2
(2)
tA
tREF
OR
tPAE
tHF
tWFF
W
[D-m+2]
W
1
tENH
4668
drw
12
DATA
IN
OUTPUT
REGISTER
W
3
1
2
3
1
]
[
W
]
[
W
]
[
W
1
2
tPAF
tENS
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