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参数资料
| 型号： | IDT72V81L20PA8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FIFO ASYNCH 512X9 56TSSOP |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | 72V |
| 功能： | 异步 |
| 存储容量： | 4.6K（512 x 9） |
| 数据速率： | 33MHz |
| 访问时间： | 20ns |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 56-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 72V81L20PA8 |
2
COMMERCIAL ANDINDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85 3.3V CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO
512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9
PIN CONFIGURATION
Symbol
Parameter
Min. Typ.
Max.
Unit
VCC
SupplyVoltage
3.0
3.3
3.6
V
GND
SupplyVoltage
0
V
VIH(1)
InputHighVoltage
2.0
—
VCC+0.5
V
VIL(2)
InputLowVoltage
—
0.8
V
TA
OperatingTemperatureCommercial
0
—
70
°C
TA
OperatingTemperatureIndustrial
-40
—
85
°C
RECOMMENDED DC OPERATING
CONDITIONS
FFA
QA0
QA1
QA2
QA3
QA8
GND
RA
QA4
QA5
QA6
QA7
XOA/HFA
EFA
FFB
QB0
QB1
QB2
QB3
QB8
GND
RB
QB4
QB5
QB6
QB7
XOB/HFB
EFB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
XIA
DA0
DA1
DA2
DA3
DA8
WA
VCC
DA4
DA5
DA6
DA7
FLA/RTA
RSA
XIB
DB0
DB1
DB2
DB3
DB8
WB
VCC
DB4
DB5
DB6
DB7
FLB/RTB
RSB
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
3966 drw 02
TSSOP (SO56-2, order code: PA)
TOP VIEW
NOTES:
1. For RT/RS/XI input, VIH = 2.6V (commercial and industrial).
2. 1.5V undershoots are allowed for 10ns once per cycle
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
Input Rise/Fall Times
5ns
Input Timing Reference Levels
1.5V
Output Reference Levels
1.5V
Output Load
See Figure 1
3966 drw 03
30pF*
330
Ω
3.3V
TO
OUTPUT
PIN
510
Ω
or equivalent circuit
Figure 1. Output Load
*Includes scope and jib capacitances.
CAPACITANCE (TA=+25°C,f=1.0MHz)
Symbol
Parameter(1)
Condition
Max.
Unit
CIN
InputCapacitance
VIN = 0V
8
pF
COUT
OutputCapacitance
VOUT = 0V
8
pF
NOTE:
1. Characterized values, not currently tested.
NOTES:
1. Measurements with 0.4
≤ VIN ≤ VCC.
2. R
≥ VIH, 0.4 ≤ VOUT ≤ VCC.
3. Tested with outputs open (IOUT = 0).
4. Tested at f = 20 MHz.
5. All Inputs = VCC - 0.2V or GND + 0.2V.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1)
(Commercial: VCC = 3.3V±0.3V, TA = 0
°C to +70°C;
Industrial: VCC = 3.3V±0.3V, TA = -40
°C to +85°C)
Commercial
Industrial
tA = 15, 20 ns
tA = 20 ns
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
ILI(1)
InputLeakageCurrent(AnyInput)
–1
1
–1
1
μA
ILO(2)
OutputLeakageCurrent
–10
10
–10
10
μA
VOH
Output Logic “1” Voltage IOH = –2mA
2.4
—
2.4
—
V
VOL
Output Logic “0” Voltage IOL = 8mA
—
0.4
—
0.4
V
ICC1(3,4) Active Power Supply Current (both FIFOs)
—
100
—
120
mA
ICC2(3,5) Standby Current (R=W=RS=FL/RT=VIH)—
5
—
5
mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Rating
Com'l & Ind'l
Unit
VTERM
TerminalVoltage
–0.5 to +7.0
V
with Respect to GND
TSTG
StorageTemperature
–55 to +125
°C
IOUT
DCOutputCurrent
–50to+50
mA
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of
the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect reliability.
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PDF描述 |
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