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参数资料
| 型号： | IL2 |
| 厂商： | SIEMENS A G |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | DIP-6 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | IL2 |
5–2
IL1/2/5
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Condition
Emitter
Forward Voltage
VF
1.25
1.65
V
IF=60 mA
Breakdown Voltage
VBR
630
V
IR=10 A
Reverse Current
IR
0.01
10
AV
R=6 V
Capacitance
CO
40
pF
VR=0 V, f=1 MHz
Thermal Resistance Junction to Lead
RTHJL
750
°C/W
Detector
Capacitance
CCE
CCB
CEB
6.8
8.5
11
pF
VCE=5 V, f=1 MHz
VCB=5 V, f=1 MHz
VEB=5 V, f=1 MHz
Collector-Emitter Leakage Current
ICEO
550
nA
VCE=10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCESAT
0.25
ICE=1 mA, IB=20 A
Base-Emitter Voltage
VBE
0.65
V
VCE=10 V, IB=20 A
DC Forward Current Gain
HFE
200
650
1800
VCE=10 V, IB=20 A
Saturated DC Forward Current Gain
HFESAT
120
400
600
VCE=0.4 V, IB=20 A
Thermal Resistance Junction to Lead
RTHJL
500
°C/W
Package Transfer Characteristics
IL1
Saturated Current Transfer Ratio
(Collector-Emitter)
CTRCESAT
75
%
IF=10 mA, VCE=0.4 V
Current Transfer Ratio
(Collector-Emitter)
CTRCE
20
80
300
%
IF=10 mA, VCE=10 V
Current Transfer Ratio
(Collector-Base)
CTRCB
0.25
%
IF=10 mA, VCB=9.3 V
IL2
Saturated Current Transfer Ratio
(Collector-Emitter)
CTRCESAT
170
%
IF=10 mA, VCE=0.4 V
Current Transfer Ratio
(Collector-Emitter)
CTRCE
100
200
500
%
IF=10 mA, VCE=10 V
Current Transfer Ratio
CTRCB
0.25
%
IF=10 mA, VCB=9.3 V
IL5
Saturated Current Transfer Ratio
(Collector-Emitter)
CTRCESAT
100
%
IF=10 mA, VCE=0.4 V
Current Transfer Ratio
(Collector-Emitter)
CTRCE
50
130
400
%
IF=10 mA, VCE=10 V
Current Transfer Ratio
CTRCB
0.25
%
IF=10 mA, VCB=9.3 V
Isolation and Insulation
Common Mode Rejection Output High
CMH
5000
V/
sV
CM=50 VP-P, RL=1 k, IF=0 mA
Common Mode Rejection Output Low
CML
5000
V/
sV
CM=50 VP-P, RL=1 k, IF=10
mA
Common Mode Coupling Capacitance
CCM
0.01
pF
Package Capacitance
CI-O
0.6
pF
VI-O=0 V, f=1 MHz
Insulation Resistance
RS
10+14
VI-O=500 V
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