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参数资料
| 型号： | IL711-3E |
| 厂商： | NVE Corp/Isolation Products |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR HS MAG DIGITAL 8SOIC |
| 产品培训模块： | IsoLoop® Isolator |
| 产品目录绘图： | IL511, IL711 Circuit |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | IsoLoop® |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/0 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 110Mbps |
| 传输延迟： | 12ns |
| 输出类型： | 三态 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC（窄型） |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 产品目录页面： | 2771 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 390-1059-5 IL711-3E-ND Q2346300 |
IL711/IL712/IL721
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Storage Temperature
Junction Temperature
Ambient Operating Temperature (1)
IL711T/ IL712T/IL721T
Supply Voltage
Input Voltage
Output Voltage
Symbol
T S
T J
T A
V DD 1 , V DD 2
V I
V O
Min.
? 55
? 55
? 40
? 0.5
? 0.5
? 0.5
Typ.
Max.
150
150
100
125
7
V DD + 0.5
V DD + 0.5
Units
°C
°C
°C
V
V
V
Test Conditions
Output Current Drive
I O
10
mA
Lead Solder Temperature
ESD
2
260
°C
kV
10 sec.
HBM
Recommended Operating Conditions
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
Ambient Operating Temperature
IL711/IL712 and IL711S/IL712S
IL711T/IL712T/IL721T
T A
? 40
? 40
100
125
°C
°C
Junction Temperature
IL711/IL712 and IL711S/IL712S
IL711T/IL712T/IL721T
Supply Voltage
Logic High Input Voltage
Logic Low Input Voltage
Input Signal Rise and Fall Times
T J
V DD 1 , V DD 2
V IH
V IL
t IR , t IF
? 40
? 40
3.0
2.4
0
110
125
5.5
V DD
0.8
1
°C
°C
V
V
V
μ s
Insulation Specifications
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
Creepage Distance (external)
MSOP8
SOIC8
PDIP8
3.01
4.03
7.04
mm
mm
mm
True 8? SOIC16
8.03
8.3
mm
Per IEC 60601
Total Barrier Thickness (internal)
Leakage Current (5)
Barrier Resistance (5)
Barrier Capacitance (5)
Comparative Tracking Index
R IO
C IO
CTI
0.012
≥ 175
0.013
0.2
>10 14
2
mm
μ A
?
pF
V
240 V RMS , 60 Hz
500 V
f = 1 MHz
Per IEC 60112
High Voltage Endurance
(Maximum Barrier Voltage
for Indefinite Life)
Barrier Life
AC
DC
V IO
1000
1500
44000
V RMS
V DC
Years
At maximum
operating temperature
100°C, 1000 V RMS , 60%
CL activation energy
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
MSOP
80
Junction–Ambient
Thermal Resistance
0.15" SOIC
0.3" SOIC
θ JA
60
60
°C/W
Soldered to
PDIP
MSOP
60
40
double-sided
board;
Junction–Case (Top)
Thermal Resistance
0.15" SOIC
0.3" SOIC
Ψ JT
10
20
°C/W
free air
PDIP
MSOP
20
500
Power Dissipation
0.15" SOIC
0.3" SOIC
P D
675
800
mW
PDIP
2
800
NVE Corporation
11409 Valley View Road, Eden Prairie, MN 55344-3617
Phone: (952) 829-9217
Fax: (952) 829-9189
www.IsoLoop.com
?NVE Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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