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参数资料
| 型号： | ILD1615-2X009T |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DIP-8 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | ILD1615-2X009T |
Legal Disclaimer Notice
Vishay
Document Number: 91000
www.vishay.com
Revision: 08-Apr-05
1
Notice
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ILQ1615-3X009T | 4 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILD213T | 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILD250-X001 | 2 CHANNEL AC INPUT-TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| IL252-X001 | 1 CHANNEL AC INPUT-TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILD3-1 | 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ILD1615-3 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD1615-3X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD1615-4 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 160-320% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD1615-4X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 160-320% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD1-X001 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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