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参数资料
型号： ILD32-X001
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： 光电耦合器
英文描述： 2 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
文件页数： 2/8页
文件大小： 143K
代理商： ILD32-X001
www.vishay.com
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
Document Number: 83650
484
Rev. 1.6, 10-Dec-08
ILD32, ILQ32
Vishay Semiconductors Optocoupler, Photodarlington Output,
High Gain (Dual, Quad Channel)
Notes
(1) Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is not
implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute maximum
ratings for extended periods of the time can adversely affect reliability.
Note
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
COUPLER
Isolation test voltage
between emitter and detector
t = 1.0 s
VISO
5300
VRMS
Creepage distance
≥ 7mm
Clearance distance
≥ 7mm
Comparative tracking index per
DIN IEC 112/VDE 0303, part 1
CTI
≥ 175
Isolation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
1012
Ω
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
1011
Ω
Total dissipation
ILD32
Ptot
400
mW
ILQ32
Ptot
500
mW
Derate linearly from 25 °C
ILD32
5.33
mW/°C
ILQ32
6.67
mW/°C
Storage temperature
Tstg
- 55 to + 150
°C
Operating temperature
Tamb
- 55 to + 100
°C
Lead soldering time at 260 °C
10
s
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (1)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
VALUE
UNIT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
INPUT
Forward voltage
IF = 10 mA
VF
1.25
1.5
V
Reverse current
VR = 3 V
IR
0.1
100
pF
Capacitance
VR = 0 V
CO
25
pF
OUTPUT
Collector emitter breakdown
voltage
IC = 100 μA, IF = 0 A
BVCEO
30
V
Breakdown voltage emitter
collector
IE = 100 A
BCECO
510
V
Collector emitter leakage current
VCE = 10 V, IF = 0 A
ICEO
1
100
nA
COUPLER
Collector emitter
IC = 2 mA, IF = 8 mA
VCEsat
1.0
V
Capacitance (input to output)
CIO
0.5
pF
CURRENT TRANSFER RATIO
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Current transfer ratio
IF = 10 mA, VCE = 10 V
CTR
500
%
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PDF描述
ILD32-X017 2 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
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ILD32-X007T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR > 500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD32-X009 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR > 500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
ILD32-X016 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR > 500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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