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参数资料
| 型号： | ILD621-X009 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMD, 8 PIN |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | ILD621-X009 |
Document Number: 83654
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
Rev. 1.5, 20-Dec-07
3
ILD621/ILD621GB/ILQ621/ILQ621GB
Optocoupler, Phototransistor Output
(Dual, Quad Channel)
Vishay Semiconductors
Note
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified.
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
INPUT
Forward voltage
IF = 10 mA
VF
1.01.151.3
V
Reverse current
VR = 6.0 V
IR
0.01
10
A
Capacitance
VR = 0 V, f = 1.0 MHz
CO
40
pF
Thermal resistance, junction to lead
RTHJL
750
K/W
OUTPUT
Collector emitter capacitance
VCE = 5.0 V, f = 1.0 MHz
CCE
6.8
pF
Collector emitter leakage current
VCE = 24 V
ICEO
10
100
nA
ICEO
20
50
A
Thermal resistance, junction to lead
RTHJL
500
K/W
COUPLER
Capacitance (input to output)
VIO = 0 V, f = 1.0 MHz
CIO
0.8
pF
Insulation resistance
VIO = 500 V
1012
Ω
Channel to channel insulation
500
VAC
Collector emitter saturation voltage
IF = 8.0 mA, ICE = 2.4 mA
ILD621
VCEsat
0.4
V
ILQ621
IF = 1.0 mA, ICE = 0.2 mA
ILD621GB
VCEsat
0.4
V
ILQ621GB
CURRENT TRANSFER RATIO
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Channel/channel
CTR match
IF = 5.0 mA, VCE = 5.0 V
CTRX/
CTRY
1 to 1
3 to 1
%
Current transfer ratio
(collector emitter
saturated)
IF = 1.0 mA, VCE = 0.4 V
ILD621
CTRCEsat
60
%
ILQ621
CTRCEsat
60
%
ILD621GB
CTRCEsat
30
%
ILQ621GB
CTRCEsat
30
%
Current transfer ratio
(collector emitter)
IF = 5.0 mA, VCE = 5.0 V
ILD621
CTRCE
50
80
600
%
ILQ621
CTRCE
50
80
600
%
ILD621GB
CTRCE
100
200
600
%
ILQ621GB
CTRCE
100
200
600
%
SWITCHING CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NON-SATURATED
On time
IF = ± 10 mA, VCC = 5.0 V, RL = 75 Ω, 50 % of VPP
ton
3.0
s
Rise time
IF = ± 10 mA, VCC = 5.0 V, RL = 75 Ω, 50 % of VPP
tr
2.0
s
Off time
IF = ± 10 mA, VCC = 5.0 V, RL = 75 Ω, 50 % of VPP
toff
2.3
s
Fall time
IF = ± 10 mA, VCC = 5.0 V, RL = 75 Ω, 50 % of VPP
tf
2.0
s
Propagation H to L
IF = ± 10 mA, VCC = 5.0 V, RL = 75 Ω, 50 % of VPP
tPHL
1.1
s
Propagation L to H
IF = ± 10 mA, VCC = 5.0 V, RL = 75 Ω, 50 % of VPP
tPLH
2.5
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ILQ621-X009 | 4 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILD621-X007 | 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILQ621GB-X017T | 4 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILQ621-X009T | 4 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILD621-X019 | 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ILD621-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD621-X016 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD621-X019T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER |
| ILD66-1 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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