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参数资料
| 型号： | ILD66-1 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | Optocoupler - Transistor Output, 2 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER, ROHS COMPLIANT, DIP-8 |
| 中文描述： | Transistor Output Optocouplers Photodarlington Out Dual CTR >100% |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 664K |
| 代理商： | ILD66-1 |
Document Number: 83638
Rev. 1.6, 13-Dec-07
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
Optocoupler, Photodarlington Output,
with Internal RBE (Single, Dual, Quad Channel)
IL66/ILD66/ILQ66
Vishay Semiconductors
DESCRIPTION
IL66, ILD66, and ILQ66 are optically coupled isolators
employing gallium arsenide infrared emitters and silicon
photodarlington detectors. Switching can be accomplished
while maintaining a high degree of isolation between driving
and load circuits, with no crosstalk between channels.
FEATURES
Internal RBE for high stability
Four available CTR categories per package
type
BV
CEO
> 60 V
Standard DIP packages
Lead (Pb)-free component
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and
WEEE 2002/96/EC
AGENCY APPROVALS
UL1577, file no. E52744 system code H or J, double
protection
DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884)/DIN EN 60747-5-5 pending
available with option 1
BSI IEC 60950 IEC 60065
1
2
3
6
5
4
A
C
N
C
Sin
g
le Channel
1
2
3
4
8
7
6
5
A
C
C
A
E
C
C
E
Dual Channel
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
A
C
C
A
A
C
C
A
E
C
C
E
E
C
C
E
Quad Channel
i179014
B
C
E
ORDER INFORMATION
PART
REMARKS
IL66-1
IL66-2
IL66-3
IL66-4
ILD66-1
ILD66-2
ILD66-3
ILD66-4
ILQ66-1
ILQ66-2
ILQ66-3
ILQ66-4
CTR
≥
100 %, DIP-6
CTR
≥
300 %, DIP-6
CTR
≥
400 %, DIP-6
CTR
≥
500 %, DIP-6
CTR
≥
100 %, DIP-8
CTR
≥
300 %, DIP-8
CTR
≥
400 %, DIP-8
CTR
≥
500 %, DIP-8
CTR
≥
100 %, DIP-16
CTR
≥
300 %, DIP-16
CTR
≥
400 %, DIP-16
CTR
≥
500 %, DIP-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ILD66-2X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-2X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-3 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-3X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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