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参数资料
| 型号： | ILD66-1 |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | DIP-8 |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | ILD66-1 |
IL66, ILD66, ILQ66
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.7, 08-Jun-11
2
Document Number: 83638
For technical questions, contact: optocoupleranswers@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Note
Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is not
implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute
maximum ratings for extended periods of the time can adversely affect reliability.
Note
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
VALUE
UNIT
INPUT
Peak reverse voltage
VRM
6.0
V
Forward continuous current
IF
60
mA
Power dissipation
Pdiss
100
mW
Derate linearly from 25 °C
1.33
mW/°C
OUTPUT
Power dissipation
Pdiss
150
mW
Derate from 25 °C
2.0
mW/°C
COUPLER
Isolation test voltage
t = 1.0 s
VISO
5300
VRMS
Total package power dissipation
IL66
Ptot
250
mW
ILD66
Ptot
400
mW
ILQ66
Ptot
500
mW
Derate linearly from 25 °C
IL66
3.3
mW/°C
ILD66
5.33
mW/°C
ILQ66
6.67
mW/°C
Creepage distance
7.0
mm
Clearance distance
7.0
mm
Comparative tracking index
CTI
175
Isolation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
1012
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
1011
Storage temperature
Tstg
- 55 to + 125
°C
Operating temperature
Tamb
- 55 to + 100
°C
Lead soldering time at 260 °C
10
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
INPUT
Forward voltage
IF = 20 mA
VF
1.25
1.5
V
Reverse current
VR = 6.0 V
IR
0.1
10
μA
Capacitance
VR = 0 V
CO
25
pF
OUTPUT
Collector emitter breakdown voltage
IC = 1.0 mA, IF = 0 A
BVCEO
60
V
Collector base breakdown voltage (IL66)
IC = 10 ABVCBO
60
V
Collector emitter leakage current
VCE = 50 V, IF = 0 A
ICEO
1.0
100
nA
Capacitance collector emitter
VCE = 10 V
3.4
pF
COUPLER
Saturation voltage, collector emitter
IC = 10 mA, IF = 10 mA
VCEsat
0.9
1.0
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ILQ66-4 | 4 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| IL66-1 | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| IL66-2 | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILQ66-1-X001 | 4 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| ILQ66-2-X001 | 4 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ILD66-2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-2X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-2X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-3 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-3X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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