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参数资料
| 型号： | ILD66-2 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DIP-8 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 659K |
| 代理商： | ILD66-2 |
www.vishay.com
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
Document Number: 83638
4
Rev. 1.6, 13-Dec-07
IL66/ILD66/ILQ66
Vishay Semiconductors
Optocoupler, Photodarlington Output,
with Internal RBE (Single, Dual, Quad
Channel)
Fig. 3 - Normalized Non-Saturated and Saturated CTRCE vs.
LED Current
Fig. 4 - Non-Saturated and Saturated Collector Emitter Current vs.
LED Current
Fig. 5 - Collector Base Photocurrent vs. LED Current
Fig. 6 - Collector Emitter Current vs. LED Current
Fig. 7 - Non-Saturated and Saturated hFE vs. LED Current
Fig. 8 - High to Low Propagation Delay vs. Collector Load
Resistance and LED Current
iil66_03
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
100
1000
IF - LED Current (mA)
N
CTRce
-
N
ormalized
CTRce
Normalized to:
VCE = 5 V
IF = 10 mA
1
10
VCE = 1 V
VCE = 5 V
iil66_04
I CE
-Collector
Emitter
C
u
rrent
(mA)
0.1
10
100
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
IF - LED Current (mA)
1
VCE = 1 V
VCE = 5 V
iil66_05
0.1
100
IF - LED Current (mA)
I c
b
-
Photoc
u
rrent
(
a)
0.1
1
100
1000
110
10
iil66_06
0.1
10
100
1000
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE = 1 V
V
CE = 5 V
I CE
-Collector-emitter
C
u
rrent
(mA)
IB - Base Current (s)
0
iil66_07
0.1
100
1000
25000
20000
15000
10000
5000
0
I
B- Base Current (A)
h
FE
-
For
w
ard
Gain
VCE =5 V
VCE =1 V
1
10
iil66_08
010
15
20
0
10
20
30
40
50
220
Ω
10 k
Ω
IF - LED Current (mA)
VCC = 5 V
Vth = 1.5 V
t pHL
-
High/Lo
w
Propagation
Delay
(
s)
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ILD66-2X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-3 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-3X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| ILD66-4 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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