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参数资料
型号： INA-32063-TR2
英文描述： 3.0 GHz Wideband Silicon RFIC Amplifier
中文描述： 3.0千兆赫宽带硅射频放大器
文件页数： 4/11页
文件大小： 88K
代理商： INA-32063-TR2
4
INA-32063 Typical Scattering Parameters
[5]
, T
C
= 25
°
C, Z
O
= 50
,V
d
= 3.0 V
Freq. S
11
S
21
GHz
Mag
Ang
dB
Mag
0.1
0.034
19
16.5
6.72
0.2
0.034
30
16.5
6.71
0.3
0.039
35
16.6
6.73
0.4
0.043
41
16.6
6.75
0.5
0.053
53
16.6
6.78
0.6
0.054
49
16.7
6.80
0.7
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49
16.7
6.85
0.8
0.065
50
16.8
6.90
0.9
0.072
49
16.8
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1.0
0.080
47
16.9
7.00
1.1
0.084
48
17.0
7.09
1.2
0.090
46
17.1
7.16
1.3
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45
17.2
7.23
1.4
0.101
46
17.3
7.32
1.5
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45
17.4
7.40
1.6
0.109
43
17.5
7.48
1.7
0.108
41
17.6
7.59
1.8
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38
17.7
7.69
1.9
0.113
36
17.8
7.79
2.0
0.118
32
17.9
7.88
2.1
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26
18.0
7.98
2.2
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20
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18.1
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2.4
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6
18.2
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-1
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8.09
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-7
18.1
8.04
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-13
18.0
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2.8
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-19
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2.9
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-26
17.8
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3.0
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-33
17.6
7.56
3.1
0.224
-40
17.3
7.36
3.2
0.234
-48
17.1
7.16
3.3
0.243
-57
16.8
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3.4
0.254
-64
16.5
6.67
3.5
0.266
-71
16.1
6.39
3.6
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-77
15.8
6.13
3.7
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-83
15.4
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3.8
0.301
-88
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-92
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4.0
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-97
14.1
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-105
13.3
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4.3
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-109
12.9
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4.4
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-113
12.4
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4.5
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-117
12.0
3.99
4.6
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-122
11.6
3.81
4.7
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-126
11.2
3.63
4.8
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-130
10.8
3.47
4.9
0.342
-134
10.4
3.31
5.0
0.347
-137
10.0
3.17
Note:
5. Reference plane per Figure 15 in Applications Information section.
S
12
Mag
0.046
0.040
0.041
0.039
0.038
0.040
0.038
0.036
0.035
0.035
0.035
0.034
0.033
0.033
0.032
0.033
0.032
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0.029
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0.027
0.026
0.025
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0.023
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0.011
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0.040
0.044
S
22
K
Ang
-4
-9
-13
-17
-22
-26
-30
-35
-39
-44
-48
-53
-58
-62
-67
-72
-77
-83
-88
-94
-100
-106
-112
-119
-125
-132
-138
-145
-152
-158
-165
-171
-177
176
170
165
159
154
149
144
139
134
130
126
122
118
114
110
106
103
dB
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-27.9
-27.7
-28.3
-28.3
-28.0
-28.5
-28.9
-29.1
-29.2
-29.1
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-29.8
-29.9
-29.6
-29.9
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-30.5
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-30.8
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-38.3
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-30.7
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-29.0
-28.0
-27.2
Ang
Mag
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0.230
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0.238
0.226
0.218
0.223
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Ang
-5
-6
-7
-8
-8
-9
-12
-16
-21
-25
-29
-33
-40
-47
-55
-63
-68
-77
-85
-94
-101
-111
-120
-128
-135
-143
-151
-160
-166
-173
180
173
168
163
157
151
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142
136
131
125
120
112
101
88
68
42
15
-5
-17
Factor
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1.87
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2.10
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2.07
2.10
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2.13
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3
0
-3
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-7
-10
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-166
-173
-178
177
172
168
165
162
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INA321 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier
INA321E 制造商:Texas Instruments 功能描述:AMP INSTRUMENTATION VSSOP8 321
INA321E/250 功能描述:仪表放大器 Micropwr Single-sply CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
INA321E/250G4 功能描述:仪表放大器 Micropwr Single-sply CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
INA321E/2K5 功能描述:仪表放大器 Micropwr Single-sply CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 输入补偿电压:150 V 可用增益调整: 最大输入电阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作电源电压:2.7 V to 36 V 电源电流:200 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Bulk
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