型号: | IPB065N06LG |
厂商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 444K |
代理商: | IPB065N06LG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IPB06CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPI06CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPB06CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPI06CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPB06N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IPB065N06LG_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOSa?¢ Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification |
IPB065N06LGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
IPB065N15N3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IPB065N15N3 G E8187 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IPB065N15N3G | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |