- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384485 > IPD04N03LBG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS㈢2 Power-Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPD04N03LBG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 427K |
| 代理商： | IPD04N03LBG |
IPD04N03LB G IPS04N03LB G
IPU04N03LB G IPF04N03LB G
Package Outline
PG-TO251-3-21
PG-TO251-3-11: Outline
PG-TO251-3-21: Outline
Rev. 1.5
page 11
2006-05-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPF04N03LBG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD05N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPF05N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD06N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPF06N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPD04N03LBGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPD050N03L | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPD050N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD050N03L_08 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters |
| IPD050N03LG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A OptiMOS3 TO252 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。