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参数资料
| 型号： | IPD05N03LB |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS2 Power-Transistor |
| 中文描述： | OptiMOS2功率晶体管 |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | IPD05N03LB |
IPD05N03LA IPF05N03LA
IPS05N03LA IPU05N03LA
Package Outline
P-TO251-3-11: Outline
P-TO251-3-21: Outline
Dimensions in inch [mm]
Rev. 1.7
page 10
2004-05-19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPD05N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPD05N03LBG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD05N03LBGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPD060N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD060N03LG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A OptiMOS3 TO252 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
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