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参数资料
| 型号： | IPD06N03LAG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 428K |
| 代理商： | IPD06N03LAG |
IPD06N03LA G IPF06N03LA G
IPS06N03LA G IPU06N03LA G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. Capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
40 μA
400 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
10
2
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98%
175 °C, 98%
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 2.0
page 6
2006-05-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPF06N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD06N03LBG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD09N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPD10N03LA | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPF10N03LA | OptiMOS2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPD06N03LAGBUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| IPD06N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPD06N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD06N03LBG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD06N03LBGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
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