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参数资料
型号： IPD10N03LAG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数： 5/12页
文件大小： 413K
代理商： IPD10N03LAG
IPD10N03LA G IPF10N03LA G
IPS10N03LA G IPU10N03LA G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.6
page 5
2006-05-15
相关PDF资料
PDF描述
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