参数资料
型号: IPD12N03LBG
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数: 5/12页
文件大小: 427K
代理商: IPD12N03LBG
IPD12N03LB G IPS12N03LB G
IPU12N03LB G IPF12N03LB G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0
20
40
60
80
100
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.5
page 5
2006-05-15
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PDF描述
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