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参数资料
| 型号： | IPD230N06NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 390K |
| 代理商： | IPD230N06NG |
IPD230N06N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
10 V
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
R
D
]
z
25 °C
175 °C
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
[V]
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
5 V
7 V
5.5 V
6 V
6.5 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 5
2006-07-05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD350N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD400N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD60R385CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPD640N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD64CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPD230N06NG_08 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features For dc/dc converters and sync. rectification |
| IPD230N06NGBTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| IPD250N06N3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD250N06N3G | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPD250N06N3GBTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 |
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