参数资料
型号: IPD78CN10NG
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数: 4/13页
文件大小: 708K
代理商: IPD78CN10NG
IPB80CN10N G IPD78CN10N G
IPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.1
1
10
t
p
[s]
Z
t
[
0
10
20
30
40
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
5
10
15
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.01
page 4
2006-06-02
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