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参数资料
型号： IPF04N03LBG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数： 5/12页
文件大小： 427K
代理商： IPF04N03LBG
IPD04N03LB G IPS04N03LB G
IPU04N03LB G IPF04N03LB G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3 V
3.2 V
4.1 V
3.5 V
3.8 V
4.5 V
10 V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.5
page 5
2006-05-11
相关PDF资料
PDF描述
IPD05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD06N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
IPF050N03LG 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPF05N03LA 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPF05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPF05N03LAG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000017606_Power MOSFET
IPF060N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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