参数资料
型号: IPF06N03LAG
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数: 11/12页
文件大小: 428K
代理商: IPF06N03LAG
IPD06N03LA G IPF06N03LA G
IPS06N03LA G IPU06N03LA G
Package Outline
PG-TO251-3-21
PG-TO251-3-11: Outline
PG-TO251-3-21: Outline
Rev. 2.0
page 11
2006-05-11
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PDF描述
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IPF090N03LG 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPF09N03LA 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPF09N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件