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参数资料
| 型号： | IPF13N03LAG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | IPF13N03LAG |
IPD09N03LA G IPF09N03LA G
IPS09N03LA G IPU09N03LA G
Package Outline
PG-TO251-3-11
PG-TO251-3-11: Outline
PG-TO251-3-21: Outline
Rev. 2.0
page 10
2006-05-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD09N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD09N03LBG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD10N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPF10N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD127N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPF2 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
| IP-FFT | 功能描述:开发软件 FFT/IFFT MegaCore RoHS:否 制造商:Atollic Inc. 产品:Compilers/Debuggers 用于:ARM7, ARM9, Cortex-A, Cortex-M, Cortex-R Processors |
| IPFH6N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPFH6N03LAG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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