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参数资料
| 型号： | IPI35CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 707K |
| 代理商： | IPI35CN10NG |
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
PG-TO252-3: Outline
Rev.1.02
page 11
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IPB77N06S3-09 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI35CN10NGAKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI45N04S4L-08 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
| IPI45N06S3-16 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI45N06S316XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI45N06S3L-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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