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参数资料
| 型号： | IPS022G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET LS DRIVER DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 130 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS022G |
Data Sheet No.PD60203
IPS022G
DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
Features
? Over temperature shutdown
? Over current shutdown
? Active clamp
? Low current & logic level input
? E.S.D protection
Description
The IPS022G are fully protected dual low side SMART
POWER MOSFETs respectively. They feature over-
current, over-temperature, ESD protection and drain
to source active clamp.These devices combine a
HEXFET? POWER MOSFET and a gate driver. They
offer full protection and high reliability required in
harsh environments. The driver allows short switch-
ing times and provides efficient protection by turning
OFF the power MOSFET when the temperature ex-
ceeds 165 o C or when the drain current reaches 5A.
These devices restart once the input is cycled. The
avalanche capability is significantly enhanced by
Product Summary
R ds(on)
V clamp
I shutdown
T on /T off
Package
150m ? (max)
50V
5A
1.5 μ s
the active clamp and covers most inductive load
demagnetizations.
8-Lead SOIC
IPS022G
(Dual)
Typical Connection
Load
Q
R in series
(if needed)
IN
control
S
D
S
Logic signal
(Refer to lead assignment for correct pin configuration)
www.irf.com
1
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