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参数资料
| 型号： | IPS03N03LA |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications |
| 中文描述： | 适用于高频率DC / DC转换器，合格为目标，根据JEDEC的应用 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | IPS03N03LA |
IPD03N03LA G IPS03N03LA G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=45 A pulsed
parameter: T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
5 V
15 V
20 V
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
Q
gate
[nC]
V
G
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 0.93 - target data sheet
page 7
2004-10-27
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| IPS03N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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