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参数资料
| 型号： | IPS042G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 370 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 530mA |
| 电流 - 峰值输出： | 3A |
| 电源电压： | 4 V ~ 6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS042G |
IPS042G
Vin
5V
0V
90 %
Vin 10 %
Ids
t < T reset
t > T reset
Tr-in
I shutdown
Isd
Ids
90 %
10 %
Td on
Td off
T
T shutdown
tr
tf
Tsd
(165 ° c)
Vin
Figure 1 - Timing diagram
T clamp
Vds
Figure 2 - IN rise time & switching time definitions
Rem : V load is negative
L
V load
+
Ids
during demagnetization
R
14 V
-
Vds clamp
( Vcc )
Vds
( see Appl . Notes to evaluate power dissipation )
Vin
5v
0v
IN
D
S
Vds
Ids
www.irf.com
Figure 3 - Active clamp waveforms
Figure 4 - Active clamp test circuit
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS041L | IC MOSFET PWR SW 2A SOT-223 |
| A9BBG-0404F | FLEX CABLE - AFF04G/AF04/AFF04G |
| ESC06DRES-S13 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
| GCM18DCSI | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| EEV-HA0J470WR | CAP ALUM 47UF 6.3V 20% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS042GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
| IPS042GTR | 功能描述:功率驱动器IC Dual PWR FET Swich 500mOhm 50V 2A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IPS04N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPS04N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS04N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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